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IM5610MJE

产品描述OTP ROM, 32X8, 75ns, TTL, CDIP16
产品类别存储    存储   
文件大小215KB,共3页
制造商General Electric Solid State
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IM5610MJE概述

OTP ROM, 32X8, 75ns, TTL, CDIP16

IM5610MJE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称General Electric Solid State
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间75 ns
JESD-30 代码R-XDIP-T16
JESD-609代码e0
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
端子数量16
字数32 words
字数代码32
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32X8
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

IM5610MJE相似产品对比

IM5610MJE IM5600CJE IM5600MDE/883C
描述 OTP ROM, 32X8, 75ns, TTL, CDIP16 OTP ROM, 32X8, TTL, CDIP16 OTP ROM, 32X8, TTL, CDIP16
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8
端子数量 16 16 16
字数 32 words 32 words 32 words
字数代码 32 32 32
最高工作温度 125 °C 70 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C
组织 32X8 32X8 32X8
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 TTL TTL TTL
温度等级 MILITARY COMMERCIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Objectid - 101292995 101293063
ECCN代码 - EAR99 EAR99
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