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MB81V17405B-50PJ: 产品描述EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共32页; 制造商FUJITSU(富士通); 官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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MB81V17405B-50PJ概述

EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

MB81V17405B-50PJ规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)
包装说明	SOJ, SOJ24/26,.34
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0
长度	17.15 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ24/26,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	3.75 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0005 A
最大压摆率	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

MB81V17405B-50PJ相似产品对比

	MB81V17405B-50PJ	MB81V17405B-50LPFTN	MB81V17405B-60PJ	MB81V17405B-50PFTN	MB81V17405B-60LPFTN
描述	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	4MX4 EDO DRAM, 50ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
包装说明	SOJ, SOJ24/26,.34	TSOP2,	SOJ, SOJ24/26,.34	TSOP2, TSOP24/26,.36	TSOP2,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns	50 ns	60 ns	50 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-J24	R-PDSO-G24	R-PDSO-J24	R-PDSO-G24	R-PDSO-G24
长度	17.15 mm	17.14 mm	17.15 mm	17.14 mm	17.14 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24	24
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	TSOP2	SOJ	TSOP2	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.75 mm	1.2 mm	3.75 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	GULL WING	J BEND	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	-
厂商名称	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	-	FUJITSU(富士通)
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	-
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	-
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	SOJ24/26,.34	-	SOJ24/26,.34	TSOP24/26,.36	-
电源	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	-
刷新周期	2048	-	2048	2048	-
自我刷新	NO	-	NO	NO	-
最大待机电流	0.0005 A	-	0.0005 A	0.0005 A	-
最大压摆率	0.12 mA	-	0.1 mA	0.12 mA	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	-

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