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DCR504ST14

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1400V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小309KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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DCR504ST14概述

Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1400V V(DRM),

DCR504ST14规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间300 µs
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流150 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流30 mA
通态非重复峰值电流5500 A
最大通态电流310000 A
最高工作温度125 °C
断态重复峰值电压1400 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

DCR504ST14相似产品对比

DCR504ST14 DCR504ST10 DCR504ST11 DCR504ST12 DCR504ST13
描述 Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1400V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1000V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1100V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1200V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1300V V(DRM),
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
标称电路换相断开时间 300 µs 300 µs 300 µs 300 µs 300 µs
关态电压最小值的临界上升速率 200 V/us 200 V/us 200 V/us 200 V/us 200 V/us
最大直流栅极触发电流 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大维持电流 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
通态非重复峰值电流 5500 A 5500 A 5500 A 5500 A 5500 A
最大通态电流 310000 A 310000 A 310000 A 310000 A 310000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
断态重复峰值电压 1400 V 1000 V 1100 V 1200 V 1300 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR
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