DCR504ST12,DCR504ST12 pdf中文资料,DCR504ST12引脚图,DCR504ST12电路-Datasheet-电子工程世界

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DCR504ST12: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1200V V(DRM),; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小309KB，共8页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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DCR504ST12概述

Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1200V V(DRM),

DCR504ST12规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
标称电路换相断开时间	300 µs
关态电压最小值的临界上升速率	200 V/us
最大直流栅极触发电流	150 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大维持电流	30 mA
通态非重复峰值电流	5500 A
最大通态电流	310000 A
最高工作温度	125 °C
断态重复峰值电压	1200 V
表面贴装	NO
触发设备类型	SCR

DCR504ST12相似产品对比

	DCR504ST12	DCR504ST10	DCR504ST11	DCR504ST13	DCR504ST14
描述	Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1200V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1000V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1100V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1300V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 310000mA I(T), 1400V V(DRM),
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
标称电路换相断开时间	300 µs	300 µs	300 µs	300 µs	300 µs
关态电压最小值的临界上升速率	200 V/us	200 V/us	200 V/us	200 V/us	200 V/us
最大直流栅极触发电流	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大维持电流	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA
通态非重复峰值电流	5500 A	5500 A	5500 A	5500 A	5500 A
最大通态电流	310000 A	310000 A	310000 A	310000 A	310000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
断态重复峰值电压	1200 V	1000 V	1100 V	1300 V	1400 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR

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