GM71VS65403ALT-6,GM71VS65403ALT-6 pdf中文资料,GM71VS65403ALT-6引脚图,GM71VS65403ALT-6电路-Datasheet-电子工程世界

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GM71VS65403ALT-6: 产品描述EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共25页; 制造商LG Semicon Co Ltd

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GM71VS65403ALT-6概述

EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,

GM71VS65403ALT-6规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP
封装等效代码	TSOP32,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
最大待机电流	0.0003 A
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

GM71VS65403ALT-6相似产品对比

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描述	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	50 ns	60 ns	50 ns	60 ns	60 ns	50 ns	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP	TSOP	SOJ	SOJ	SOJ	TSOP	SOJ	TSOP
封装等效代码	TSOP32,.46	TSOP32,.46	SOJ32,.44	SOJ32,.44	SOJ32,.44	TSOP32,.46	SOJ32,.44	TSOP32,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	YES	NO	YES	NO	NO	NO	YES	YES
最大待机电流	0.0003 A	0.0005 A	0.0003 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0003 A	0.0003 A
最大压摆率	0.17 mA	0.19 mA	0.17 mA	0.19 mA	0.17 mA	0.17 mA	0.19 mA	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING	J BEND	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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