电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

GM71VS65403ALJ-6

产品描述EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共25页
制造商LG Semicon Co Ltd
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

GM71VS65403ALJ-6概述

EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,

GM71VS65403ALJ-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e0
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.0003 A
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

GM71VS65403ALJ-6相似产品对比

GM71VS65403ALJ-6 GM71V65403AT-5 GM71V65403AJ-5 GM71V65403AJ-6 GM71V65403AT-6 GM71VS65403ALJ-5 GM71VS65403ALT-5 GM71VS65403ALT-6
描述 EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 50 ns 50 ns 60 ns 60 ns 50 ns 50 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ TSOP SOJ SOJ TSOP SOJ TSOP TSOP
封装等效代码 SOJ32,.44 TSOP32,.46 SOJ32,.44 SOJ32,.44 TSOP32,.46 SOJ32,.44 TSOP32,.46 TSOP32,.46
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096
自我刷新 YES NO NO NO NO YES YES YES
最大待机电流 0.0003 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0003 A 0.0003 A 0.0003 A
最大压摆率 0.17 mA 0.19 mA 0.19 mA 0.17 mA 0.17 mA 0.19 mA 0.19 mA 0.17 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND GULL WING J BEND J BEND GULL WING J BEND GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 54  63  1218  1521  1592 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved