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IBM13N8644HCB-360T

产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
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文件大小1MB,共19页
制造商IBM
官网地址http://www.ibm.com
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IBM13N8644HCB-360T概述

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168

IBM13N8644HCB-360T规格参数

参数名称属性值
厂商名称IBM
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.008 A
最大压摆率1.12 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

IBM13N8644HCB-360T相似产品对比

IBM13N8644HCB-360T IBM13N8644HCB-260T IBM13N8734HCB-260T IBM13N8734HCB-360T IBM13N8644HCB-10T IBM13N8734HCB-10T
描述 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 8MX72, 9ns, CMOS, DIMM-168
厂商名称 IBM IBM IBM IBM IBM IBM
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 , ,
针数 168 168 168 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 9 ns 9 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 603979776 bit 603979776 bit 536870912 bit 603979776 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64 72 72 64 72
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 168 168 168 168 168 168
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX64 8MX64 8MX72 8MX72 8MX64 8MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz - -
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON - -
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - -
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM - -
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 - -
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V - -
刷新周期 4096 4096 4096 4096 - -
最大待机电流 0.008 A 0.008 A 0.009 A 0.009 A - -
最大压摆率 1.12 mA 1.12 mA 1.26 mA 1.26 mA - -
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm - -

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