AS7C33512NTD18A-133TQI,AS7C33512NTD18A-133TQI pdf中文资料,AS7C33512NTD18A-133TQI引脚图,AS7C33512NTD18A-133TQI电路-Datasheet-电子工程世界

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AS7C33512NTD18A-133TQI: 产品描述ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小439KB，共19页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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AS7C33512NTD18A-133TQI概述

ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

AS7C33512NTD18A-133TQI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP,
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	4.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	100
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

AS7C33512NTD18A-133TQI相似产品对比

	AS7C33512NTD18A-133TQI	AS7C33512NTD18A-166TQCN	AS7C33512NTD18A-166TQIN	AS7C33512NTD18A-133TQCN	AS7C33512NTD18A-133TQIN	AS7C33512NTD18A-166TQC	AS7C33512NTD18A-166TQI	AS7C33512NTD18A-133TQC
描述	ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
是否无铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合	符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,
针数	100	100	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	4.5 ns	4 ns	4 ns	4.5 ns	4.5 ns	4 ns	4 ns	4.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e3	e3	e3	e3	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100	100	100	100
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	512KX18	512KX18	512KX18	512KX18	512KX18	512KX18	512KX18	512KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	245	245	245	245	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	30	30	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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