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AS7C33512NTD18A-133TQC

产品描述ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
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文件大小439KB,共19页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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AS7C33512NTD18A-133TQC概述

ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

AS7C33512NTD18A-133TQC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间4.5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

AS7C33512NTD18A-133TQC相似产品对比

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描述 ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LQFP,
针数 100 100 100 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 4.5 ns 4 ns 4 ns 4.5 ns 4.5 ns 4 ns 4 ns 4.5 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e3 e3 e3 e3 e0 e0 e0
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 18 18 18 18 18 18 18
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100 100 100 100
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C
组织 512KX18 512KX18 512KX18 512KX18 512KX18 512KX18 512KX18 512KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 245 245 245 245 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 30 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
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