电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SD1903Q

产品描述8A, 30V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220MF, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小37KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
下载文档 详细参数 全文预览

2SD1903Q概述

8A, 30V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220MF, 3 PIN

2SD1903Q规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-220MF
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)30 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Ordering number:ENN2263A
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB1267/2SD1903
30V/8A High-Current Switching Applications
Applications
· Suitable for relay drivers, high-speed inverters,
converters and other general high-current switching.
Package Dimensions
unit:mm
2049C
[2SB1267/2SD1903]
10.2
0.9
Features
· Suitable for sets whose height is restricted.
· Low collector to emitter saturation voltage :
V
CE
(sat)=–0.5V (PNP), 0.4V (NPN) max.
· Large current capacity.
20.9
11.5
4.5
1.3
1.6
1.2
9.4
0.8
11.0
8.8
0.4
1
2
3
( ) : 2SB1267
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Tc=25˚C
2.55
2.55
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220MF
Conditions
2.7
Ratings
(–)60
(–)30
(–)6
(–)8
(–)15
1.65
30
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
W
˚C
˚C
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Symbol
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
VCB=(–)40V, IE=0
VEB=(–)4V, IC=0
VCE=(–)2V, IC=(–)1A
VCE=(–)2V, IC=(–)4A
VCE=(–)5V, IC=(–)1A
70*
30
120
MHz
Conditions
Ratings
min
typ
max
(–)0.1
(–)0.1
280*
Unit
µA
µA
* : The 2SB1267/2SD1903 are classified by 1A h
FE
as follows :
Rank
hFE
Q
70 to 140
R
100 to 200
S
140 to 280
Continued on next page.
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
11504TN (KT)/O1598HA (KT)/D251MH/5137TA, TS No.2263–1/4
无线电协会再创辉煌
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 02:54 编辑 ...
小黑同学 机器人开发
怎么在我制订的内核上添加我的版本号??
如题,希望在CE启动后的帮助中看到我设置的版本号 需要怎么做谢谢...
zshfeng 嵌入式系统
【求助】中断
我中断函数是这样写的: interruput void UART0RX(void){} 编译时说有如下错误: Error: this declaration has no storage class or type specifier Error: expected a ";" 请问这 ......
zhuxiaoying 微控制器 MCU
嵌入式入门的好资料---《高速嵌入式硬件设计讲义》
对于一个电子工程师来说,在工作过程中不可避免的会遇到嵌入式产品。 今天这里要推荐的这个资料能够使大家很好地了解嵌入式入门所需要的一些知识 https://download.eeworld.com.cn/do ......
tiankai001 下载中心专版
电子元器件失效分析必须遵循的基本步骤
对电子元器件失效机理及原因的诊断过程叫失效分析。进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。失效分析的任务是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止重复 ......
Jacktang 模拟与混合信号
可以红外遥控的渐亮白只灯
18848 18849 18850 白只灯亮度可控,并不是什么新奇的技术了,核心还是可控硅、阻容降压。红外遥控的引入,可能会有些难度,因为白只灯本身会对红外信号产生干扰。 就在前不久,欧 ......
老夫子 DIY/开源硬件专区

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2694  947  496  460  971  58  45  29  17  47 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved