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SMP4416A

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-236, TO-72, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共1页
制造商InterFET
官网地址http://www.interfet.com/
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SMP4416A在线购买

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SMP4416A概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-236, TO-72, 3 PIN

SMP4416A规格参数

参数名称属性值
厂商名称InterFET
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)0.8 pF
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)18 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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B-14
01/99
2N4416, 2N4416A
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
¥ Mixers
¥ VHF Amplifiers
Absolute maximum ratings at T
A
= 25¡C
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage
Gate Current
Continuous Device Dissipation
Power Derating
2N4416
– 30 V
10 mA
300 mW
2 mW°C
2N4416A
– 35 V
10 mA
300 mW
2 mW/°C
At 25°C free air temperature:
Static Electrical Characteristics
Gate Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate Source Cutoff Voltage
Drain Saturation Current (Pulsed)
Dynamic Electrical Characteristics
Common Source
Forward Transconductance
Common Source
Output Conductance
Common Source Input Capacitance
Common Source Output Capacitance
Common Source
Reverse Transfer Capacitance
Common Source
Input Conductance
Common Source
Input Susceptance
Common Source
Output Susceptance
Common Source
Power Gain
Noise Figure
g
fs
V
(BR)GSS
I
GSS
V
GS(OFF)
I
DSS
2N4416
Min
– 30
– 0.1
– 0.1
–6
5
15
Max
2N4416A
Min
– 35
– 0.1
– 0.1
– 2.5
5
–6
15
Max
Unit
V
nA
µA
V
mA
Process NJ26
Test Conditions
I
G
= – 1µA, V
DS
= ØV
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
DS
= 15V, I
D
= 1 nA
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
T
A
= 150°C
4500 7500 4500 7500
4000
50
75
100
4
2
0.8
100
1000
2500
10000
1000
4000
18
10
2
4
18
10
2
4
4000
50
75
100
4
2
0.8
100
1000
2500
1000
4000
µS
µS
µS
µS
µS
pF
pF
pF
µS
µS
µS
µS
µS
dB
dB
dB
dB
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, V
GS
= ØV
V
DS
= 15V, I
D
= 5mA
V
DS
= 15V, I
D
= 5mA
V
DS
= 15V, I
D
= 5mA
R
G
= 1kΩ
f = 1 kHz
f = 400 MHz
f = 1 kHz
f = 100 MHz
f = 400 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 100 MHz
f = 400 MHz
f = 100 MHz
f = 400 MHz
f = 100 MHz
f = 400 MHz
f = 100 MHz
f = 400 MHz
f = 100 MHz
f = 400 MHz
g
os
C
iss
C
oss
C
rss
g
is
b
is
b
os
G
ps
NF
10000 µS
TOÐ72 Package
See Section G for Outline Dimensions
Surface Mount
SMP4416, SMP4416A
Pin Configuration
1 Source, 2 Drain, 3 Gate, 4 Case
Note: rf parameters guaranteed, but not 100% tested.
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042
(972) 487-1287
FAX
(972) 276-3375
www.interfet.com
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