2SC4188C: 产品描述Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小160KB，共4页; 制造商SANYO; 官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html

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2SC4188C概述

Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN

2SC4188C规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	200 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	10 W
最大功率耗散 (Abs)	10 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz
Base Number Matches	1

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Ordering number:ENN2557B

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

2SC4188

Ultrahigh-Definition CRT Display

Video Output Applications

Features

· High breakdown voltage : V

CEO

≥200V.

· Small reverse transfer capacitance and excellent high

frequency characteristic : C

=1.3pF typ.

· Adoption of FBET process.

Package Dimensions

unit:mm

2010C

[2SC4188]

10.2

3.6

5.1

4.5

1.3

2.7

18.0

5.6

1.2

0.8

14.0

15.1

6.3

0.4

2.55

Specifications

Absolute Maximum Ratings

at Ta = 25˚C

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Collecor-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Collector Current

Collector Current (Pulse)

Collector Dissipation

Junction Tempreature

Storage temperature

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

Tstg

Tc=25˚C

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

SANYO : TO220AB

Conditions

2.7

Ratings

200

100

200

1.5

150

–55 to +150

Unit

˚C

The 2SC4188 is classified by 10mA h

as follows :

Rank

hFE

40 to 80

60 to 120

100 to 200

160 to 320

Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle

applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft s

control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious

physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using

any SANYO products described or contained herein in such applications.

SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other

parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained

herein.

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

72204TN (PC)/82098HA (KT)/5118TA/4217TA, TS No.2557-1/4

2SC4188

Specifications of any and all SANYO products described or contained herein stipulate the performance,

characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees

of the performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer's

products or equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device,

the customer should always evaluate and test devices mounted in the customer's products or equipment.

SANYO Electric Co., Ltd. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all

semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could

give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire,

or that could cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so

that these kinds of accidents or events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective

circuits and error prevention circuits for safe design, redundant design, and structural design.

In the event that any or all SANYO products(including technical data,services) described or

contained herein are controlled under any of applicable local export control laws and regulations,

such products must not be expor ted without obtaining the expor t license from the authorities

concerned in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or

mechanical, including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system,

or otherwise, without the prior written permission of SANYO Electric Co., Ltd.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification"

for the SANYO product that you intend to use.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not

guaranteed for volume production. SANYO believes information herein is accurate and reliable, but

no guarantees are made or implied regarding its use or any infringements of intellectual property rights

or other rights of third parties.

This catalog provides information as of July, 2004. Specifications and information herein are subject to

change without notice.

PS No.2557-4/4

2SC4188C相似产品对比

	2SC4188C	2SC4188-C	2SC4188D	2SC4188-D	2SC4188-E	2SC4188-F	2SC4188F	2SC4188E
描述	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN	0.1A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN	0.1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	0.1A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	0.1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN
零件包装代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	40	60	60	100	160	160	100
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz
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