电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SD1271R

产品描述Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小95KB,共4页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SD1271R概述

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3

2SD1271R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)7 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Power Transistors
2SD1271
Silicon NPN epitaxial planar type
For power switching
Complementary to 2SB0946
Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
FE
Large collector current I
C
Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw
16.7
±0.3
Unit: mm
0.7
±0.1
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
7.5
±0.2
φ
3.1
±0.1
Solder Dip
(4.0)
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25°C
Parameter
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector current
Peak collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
a
=
25°C
T
j
T
stg
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Rating
130
80
7
7
15
40
2.0
150
−55
to
+150
°C
°C
Unit
V
V
V
A
A
W
14.0
±0.5
0.8
±0.1
2.54
±0.3
5.08
±0.5
1 2 3
1: Base
2: Collector
3: Emitter
EIAJ: SC-67
TO-220F-A1 Package
Electrical Characteristics
T
C
=
25°C
±
3°C
Parameter
Collector-emitter voltage (Base open)
Collector-base cutoff current (Emitter open)
Emitter-base cutoff current (Collector open)
Forward current transfer ratio
Symbol
V
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
t
on
t
stg
t
f
Conditions
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
V
CB
=
100 V, I
E
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.1 A
V
CE
=
2 V, I
C
=
3 A
I
C
=
5 A, I
B
=
0.25 A
I
C
=
5 A, I
B
=
0.25 A
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.5 A, f
=
10 MHz
I
C
=
3 A, I
B1
=
0.3 A, I
B2
= −
0.3 A
V
CC
=
50 V
30
0.5
1.5
0.1
45
60
260
0.5
1.5
V
V
MHz
µs
µs
µs
Min
80
10
50
Typ
Max
Unit
V
µA
µA
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
h
FE2
R
60 to 120
Q
90 to 180
P
130 to 260
Publication date: April 2003
SJD00185BED
1

2SD1271R相似产品对比

2SD1271R 2SD1271P 2SD1271Q
描述 Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 7 A 7 A 7 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 130 90
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz 30 MHz 30 MHz
Base Number Matches 1 1 1
【STM32F7英雄联盟大赛】多功能测试仪器---五位半万用表硬件设计(三)
本帖最后由 jackfrost 于 2015-11-14 10:52 编辑 今天再继续高位表硬件设计部分的话题, 为了方便阅读,再给出前面的链接 【STM32F7英雄联盟大赛】多功能测试仪器---五位半万用表硬 ......
jackfrost stm32/stm8
简易蓝牙气象检测装置
简易蓝牙气象检测装置分类信息 - 提交方案 项目名称简易蓝牙气象检测装置 功能特点通过温度、湿度、风速的检测可发送到手机 实施方案描述(包括所用到的核心器件)使用TI或honeywell温湿度等传 ......
bjwl_6338 无线连接
请教一个关于中断的问题
先贴我的main程序: void main() { WDTCTL = WDTPW | WDTHOLD; // 关闭看门狗计时器 _EINT(); LED_IO_set(); Turn_Normal(); //正常行进 while(1) { if(mode_flag) ......
路人丁DL 微控制器 MCU
LPC1500体验+PINT_PM(lpcxpresso)
本帖最后由 freebsder 于 2014-9-17 01:30 编辑 interrupt部分不是这里讨论的重点,就是一堆中断条件处理。pattern match印象中在其他厂的片子里还没有出现过,甚至lpcopen的例程里面也没有 ......
freebsder NXP MCU
使用STM32F107做TCP客户端,与上位机TCP服务器程序连接问题
服务器与客户端连接不能正常连接,偶尔能连上。 上位机TCP服务器程序,用VB写的使用WinSock控件 Private Sub Form_Load() '将 LocalPort 属性设置为一个整数。 '然后调用 Listen ......
zhang_551799 stm32/stm8
混合编程心得
混合编程心得...
jason050600 单片机

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1255  1041  106  2291  1236  26  21  3  47  25 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved