电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SD1271Q

产品描述Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小95KB,共4页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SD1271Q概述

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3

2SD1271Q规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)7 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)90
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Power Transistors
2SD1271
Silicon NPN epitaxial planar type
For power switching
Complementary to 2SB0946
Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
FE
Large collector current I
C
Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw
16.7
±0.3
Unit: mm
0.7
±0.1
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
7.5
±0.2
φ
3.1
±0.1
Solder Dip
(4.0)
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25°C
Parameter
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector current
Peak collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
a
=
25°C
T
j
T
stg
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Rating
130
80
7
7
15
40
2.0
150
−55
to
+150
°C
°C
Unit
V
V
V
A
A
W
14.0
±0.5
0.8
±0.1
2.54
±0.3
5.08
±0.5
1 2 3
1: Base
2: Collector
3: Emitter
EIAJ: SC-67
TO-220F-A1 Package
Electrical Characteristics
T
C
=
25°C
±
3°C
Parameter
Collector-emitter voltage (Base open)
Collector-base cutoff current (Emitter open)
Emitter-base cutoff current (Collector open)
Forward current transfer ratio
Symbol
V
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
t
on
t
stg
t
f
Conditions
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
V
CB
=
100 V, I
E
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.1 A
V
CE
=
2 V, I
C
=
3 A
I
C
=
5 A, I
B
=
0.25 A
I
C
=
5 A, I
B
=
0.25 A
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.5 A, f
=
10 MHz
I
C
=
3 A, I
B1
=
0.3 A, I
B2
= −
0.3 A
V
CC
=
50 V
30
0.5
1.5
0.1
45
60
260
0.5
1.5
V
V
MHz
µs
µs
µs
Min
80
10
50
Typ
Max
Unit
V
µA
µA
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
h
FE2
R
60 to 120
Q
90 to 180
P
130 to 260
Publication date: April 2003
SJD00185BED
1

2SD1271Q相似产品对比

2SD1271Q 2SD1271P 2SD1271R
描述 Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 7 A 7 A 7 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 90 130 60
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz 30 MHz 30 MHz
Base Number Matches 1 1 1
D类功放和线性功放
请问一下D类功放和线性功放的情况,都是对于放大哪些信号的,怎么设计??...
wangfei890912 模拟电子
LED固晶破裂的解决办法
 单电极芯片在封装行业对固晶的要求非常高,例如在LED生产过程中,固晶品质的好坏影响着LED成品的品质。造成LED固晶破裂的因素有很多,我们仅从材料、机器、人为三方面因素,探讨LED固晶破裂的 ......
探路者 LED专区
大家聊聊9BXX系列的EPI模块吧
Luminary 的9Bxx系列增加了EPI(增强的并行接口),不知道大家有没有使用上的心得?EPI比传统的并口有何优势,EPI模块的应用场合在哪些方面? EPI模块在配置过程中需要注意哪些事项? ......
Yawness 微控制器 MCU
有没有谁介绍一款AC转DC的电源芯片
有没有谁介绍一款AC转DC的电源芯片,220V转12V,输出电流660-1000ma,隔离或者非隔离,外围电路简单,成本低点的,谢谢了 ...
li603672183 电源技术
【TI课程分享】+ EEworld原创:大话TI CC2650
《EEworld原创:大话TI CC2650》课程由EE网友 和 EE大学堂 联合出品。课程链接:https://training.eeworld.com.cn/course/1973/learn#lesson/2927 之前论坛有两次2650开发板的活动,一次是 ......
shinykongcn 无线连接
讨论下CE5中如何起2个SDBUS(进者有分)
我现在手上有2个sdbus的驱动,一个是public下微软提供的,另一个是针对一款SDIO无线模块优化过的(不开源) 由于项目需要,修改了很多微软SDBUS的代码 我希望在镜像中可以同时加载这两个s ......
自下而上 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 427  1713  2713  2389  191  9  35  55  49  4 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved