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2SD1251AP

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, N TYPE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小81KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SD1251AP概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, N TYPE PACKAGE-3

2SD1251AP规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1 MHz
Base Number Matches1

2SD1251AP相似产品对比

2SD1251AP 2SD1251AO 2SD1251AQ
描述 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, N TYPE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, N TYPE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, N TYPE PACKAGE-3
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A 4 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 80 30
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1.3 W 1.3 W 1.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 1 MHz 1 MHz 1 MHz
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