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2SA1940-R

产品描述TRANSISTOR 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小171KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1940-R概述

TRANSISTOR 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

2SA1940-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)55
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值80 W
最大功率耗散 (Abs)80 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
VCEsat-Max2 V
Base Number Matches1

2SA1940-R相似产品对比

2SA1940-R 2SA1940-O
描述 TRANSISTOR 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 120 V 120 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 55 80
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
功耗环境最大值 80 W 80 W
最大功率耗散 (Abs) 80 W 80 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz 30 MHz
VCEsat-Max 2 V 2 V
Base Number Matches 1 1
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