TRANSISTOR 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 8 A |
集电极-发射极最大电压 | 120 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 55 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
功耗环境最大值 | 80 W |
最大功率耗散 (Abs) | 80 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 30 MHz |
VCEsat-Max | 2 V |
Base Number Matches | 1 |
2SA1940-R | 2SA1940-O | |
---|---|---|
描述 | TRANSISTOR 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power | TRANSISTOR 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 8 A | 8 A |
集电极-发射极最大电压 | 120 V | 120 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 55 | 80 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
功耗环境最大值 | 80 W | 80 W |
最大功率耗散 (Abs) | 80 W | 80 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 30 MHz | 30 MHz |
VCEsat-Max | 2 V | 2 V |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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