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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> OM6N100CSA

OM6N100CSA: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小40KB，共4页; 制造商Omnirel Corp

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OM6N100CSA概述

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

OM6N100CSA规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Omnirel Corp
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	850 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	6 A
最大漏极电流 (ID)	6 A
最大漏源导通电阻	2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	24 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

OM6N100CSA相似产品对比

	OM6N100CSA	OM1N100CST	OM5N100CSA	OM1N100CSA	OM3N100CSA
描述	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 8.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1000V, 5.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	850 mJ	130 mJ	850 mJ	130 mJ	130 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1000 V	1000 V	1000 V	1000 V	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	6 A	0.5 A	5 A	0.5 A	3.5 A
最大漏极电流 (ID)	6 A	0.5 A	5 A	0.5 A	3.5 A
最大漏源导通电阻	2 Ω	8.2 Ω	3 Ω	8 Ω	5.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-257AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	130 W	90 W	130 W	90 W	90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	24 A	14 A	24 A	14 A	14 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	-	1	1	1	-

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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