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2SB1308T100/P

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小52KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SB1308T100/P概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SB1308T100/P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)82
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
VCEsat-Max0.45 V
Base Number Matches1

2SB1308T100/P相似产品对比

2SB1308T100/P 2SB1308T100/Q 2SB1308T100/R
描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
是否Rohs认证 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 82 120 180
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e2 e2 e2
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 TIN COPPER Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 120 MHz 120 MHz 120 MHz
VCEsat-Max 0.45 V 0.45 V 0.45 V
Base Number Matches 1 1 1
是否无铅 - 不含铅 不含铅

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