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2SA1380E-RA

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB,共1页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SA1380E-RA概述

Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SA1380E-RA规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

 
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