OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | PLASTIC, DIP-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00003 µA |
标称共模抑制比 | 69 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 4000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9.585 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
负供电电压上限 | |
标称负供电电压 (Vsup) | |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5/+-7.5/15 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.33 mm |
标称压摆率 | 30 V/us |
最大压摆率 | 15 mA |
供电电压上限 | 16 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 15000 kHz |
最小电压增益 | 10000 |
宽度 | 7.62 mm |
CA5130AE | CA5130E | |
---|---|---|
描述 | OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | OP-AMP, 10000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | DIP | DIP |
包装说明 | PLASTIC, DIP-8 | PLASTIC, DIP-8 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00003 µA | 0.00005 µA |
标称共模抑制比 | 69 dB | 69 dB |
频率补偿 | YES | YES |
最大输入失调电压 | 4000 µV | 10000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
长度 | 9.585 mm | 9.585 mm |
低-偏置 | YES | YES |
低-失调 | NO | NO |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5/+-7.5/15 V | 5/+-7.5/15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.33 mm | 5.33 mm |
标称压摆率 | 30 V/us | 30 V/us |
最大压摆率 | 15 mA | 15 mA |
供电电压上限 | 16 V | 16 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | BIMOS | BIMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 15000 kHz | 15000 kHz |
最小电压增益 | 10000 | 5600 |
宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm |
器件名 | 厂商 | 描述 |
---|---|---|
CA5130AE | Harris | Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIMOS, PDIP8 |
LF357N | Motorola ( NXP ) | Operational Amplifier, 1 Func, 13000uV Offset-Max, PDIP8 |
LF157AD | Raytheon Company | Operational Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, CERAMIC, DIP-8 |
LF157AD/883B | Raytheon Company | Operational Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, CERAMIC, DIP-8 |
LF357AJ | Motorola ( NXP ) | Operational Amplifier, 1 Func, 2300uV Offset-Max, CDIP8 |
CA3130AE | RCA | Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, PDIP8, |
LF157AJ | Renesas(瑞萨电子) | IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,CERAMIC |
PM157AZ | Precision Monolithics Inc | Operational Amplifier, 1 Func, 2300uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMATIC SEALED, CERAMIC, DIP-8 |
JM38510/11406BPA | Precision Monolithics Inc | Operational Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMETIC SEALED, DIP-8 |
PM357AZ | Precision Monolithics Inc | Operational Amplifier, 1 Func, 2300uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMATIC SEALED, CERAMIC, DIP-8 |
JM38510/11403BPB | Precision Monolithics Inc | Operational Amplifier, 1 Func, 7000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMETIC SEALED, DIP-8 |
CA5160AE | Harris | Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIMOS, PDIP8 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved