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CA5130AE

产品描述OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小635KB,共19页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
相似器件已查找到12个与CA5130AE功能相似器件
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CA5130AE概述

OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

CA5130AE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-8
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00003 µA
标称共模抑制比69 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压4000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.585 mm
低-偏置YES
低-失调NO
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5/+-7.5/15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
标称压摆率30 V/us
最大压摆率15 mA
供电电压上限16 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BIMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽15000 kHz
最小电压增益10000
宽度7.62 mm

CA5130AE相似产品对比

CA5130AE CA5130E
描述 OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 OP-AMP, 10000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 DIP DIP
包装说明 PLASTIC, DIP-8 PLASTIC, DIP-8
针数 8 8
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00003 µA 0.00005 µA
标称共模抑制比 69 dB 69 dB
频率补偿 YES YES
最大输入失调电压 4000 µV 10000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e0 e0
长度 9.585 mm 9.585 mm
低-偏置 YES YES
低-失调 NO NO
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5/+-7.5/15 V 5/+-7.5/15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.33 mm 5.33 mm
标称压摆率 30 V/us 30 V/us
最大压摆率 15 mA 15 mA
供电电压上限 16 V 16 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 BIMOS BIMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 15000 kHz 15000 kHz
最小电压增益 10000 5600
宽度 7.62 mm 7.62 mm

与CA5130AE功能相似器件

器件名 厂商 描述
CA5130AE Harris Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIMOS, PDIP8
LF357N Motorola ( NXP ) Operational Amplifier, 1 Func, 13000uV Offset-Max, PDIP8
LF157AD Raytheon Company Operational Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
LF157AD/883B Raytheon Company Operational Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
LF357AJ Motorola ( NXP ) Operational Amplifier, 1 Func, 2300uV Offset-Max, CDIP8
CA3130AE RCA Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, PDIP8,
LF157AJ Renesas(瑞萨电子) IC,OP-AMP,SINGLE,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,CERAMIC
PM157AZ Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 2300uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMATIC SEALED, CERAMIC, DIP-8
JM38510/11406BPA Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMETIC SEALED, DIP-8
PM357AZ Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 2300uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMATIC SEALED, CERAMIC, DIP-8
JM38510/11403BPB Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 7000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMETIC SEALED, DIP-8
CA5160AE Harris Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIMOS, PDIP8

 
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