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2N4033LEADFREE

产品描述Power Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小490KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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2N4033LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 PIN

2N4033LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-39
包装说明TO-39, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

2N4033LEADFREE相似产品对比

2N4033LEADFREE 2N4033TIN/LEAD
描述 Power Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin,
是否Rohs认证 符合 不符合
包装说明 TO-39, 3 PIN CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code compli _compli
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 25
JEDEC-95代码 TO-39 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e3 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 10 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 100 MHz
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