Power Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TO-39 |
包装说明 | TO-39, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JEDEC-95代码 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2N4033LEADFREE | 2N4033TIN/LEAD | |
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描述 | Power Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 PIN | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
包装说明 | TO-39, 3 PIN | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | compli | _compli |
集电极-发射极最大电压 | 80 V | 80 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 25 |
JEDEC-95代码 | TO-39 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e3 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 150 MHz | 100 MHz |
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