RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Zetex Semiconductors |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量 | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 12 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 25 |
| 最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最小功率增益 (Gp) | 15 dB |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 900 MHz |
| VCEsat-Max | 0.4 V |
| UFMMT5179 | UFMMT5179TA | UFMMT5179TC | |
|---|---|---|---|
| 描述 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Zetex Semiconductors | Zetex Semiconductors | Zetex Semiconductors |
| Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量 | 1 pF | 1 pF | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 12 V | 12 V | 12 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 25 | 25 | 25 |
| 最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND | VERY HIGH FREQUENCY BAND | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
| 最小功率增益 (Gp) | 15 dB | 15 dB | 15 dB |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | MATTE TIN | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 900 MHz | 900 MHz | 900 MHz |
| VCEsat-Max | 0.4 V | 0.4 V | 0.4 V |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
