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2N7285H1

产品描述16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2N7285H1概述

16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

2N7285H1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)16 A
最大漏极电流 (ID)16 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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