DPS128M8NS-10C,DPS128M8NS-10C pdf中文资料,DPS128M8NS-10C引脚图,DPS128M8NS-10C电路-Datasheet-电子工程世界

DPS128M8NS-10C: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP32, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小162KB，共7页; 制造商B&B Electronics Manufacturing Company

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DPS128M8NS-10C概述

Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP32, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	B&B Electronics Manufacturing Company
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	40.64 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.191 mm
最大待机电流	0.00009 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm

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