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HY23V08200D-120: 产品描述MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42; 产品类别存储存储; 文件大小82KB，共6页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY23V08200D-120概述

MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42

HY23V08200D-120规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	42
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
备用内存宽度	8
JESD-30 代码	R-PDIP-T42
长度	52.451 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	MASK ROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	42
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.826 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm

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HY23V08200

Description

512K X 16/1M X 8 BIT

CMOS MASK ROM

The HY23V08200 high performance read only memory is organized either as 1,048,576 x 8 bit (byte mode) or

as 524,288 x 16 bit(word mode) followed by BHE mode select. The low power feature allows the battery

operation.

The large size of 8M bit memory density is ideal for character generator, data or program

memory in micro-processor application. The HY23V08200 is packaged 42pin DIP or 44 pin SOP.

Key features

• Switchable Organization

Byte Mode : 1,048,576 X 8 bit

Word Mode : 524,288 X 16 bit

• Single 3.3V power supply operation

• Access Time : 100/120ns (Max)

• Standby Current : 50 (Max)

• Operating Current : 35 (Max)

• TTL compatible inputs and outputs

• 3-State outputs for wired-OR expansion

• Word or Byte switchable by BHE pin

• Programmable CE or OE pin

• Fully static operation

• Package

HY23V08200D

: 42pin Plastic DIP(600 mil)

HY23V08200S

: 44pin Plastic SOP(500mil)

Pin Description

A0~A18

Q0~Q14

Q15/A-1

BHE

CEB*

OEB*

VCC

VSS

Function

Address inputs

Data Outputs

Output Q15(Word Mode)/

LSB Address(Byte Mode)

Byte High Enable input

(Word/Byte selection)

Chip Enable input

Output Enable input

Power supply

Ground

No Connection

Pin Configuration

A18

A17

CEB

VSS

OEB

Q10

Q11

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

BHE

VSS

Q15/A-1

Q14

Q13

Q12

VCC

A18

A17

CEB

VSS

OEB

Q10

Q11

* User selectable polarity

44SOP

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

BHE

VSS

Q15/A-1

Q14

Q13

Q12

VCC

42DIP

HY23V08200D

HY23V08200S

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HY23V08200D-120相似产品对比

	HY23V08200D-120	HY23V08200S-100	HY23V08200D-70	HY23V08200D-100	HY23V08200S-70	HY23V08200S-120
描述	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42	MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44	MASK ROM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42	MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42	MASK ROM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIP	SOIC	DIP	DIP	SOIC	SOIC
包装说明	DIP,	SOP,	DIP,	DIP,	SOP,	SOP,
针数	42	44	42	42	44	44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	100 ns	70 ns	100 ns	70 ns	120 ns
备用内存宽度	8	8	8	8	8	8
JESD-30 代码	R-PDIP-T42	R-PDSO-G44	R-PDIP-T42	R-PDIP-T42	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
长度	52.451 mm	28.5 mm	52.451 mm	52.451 mm	28.5 mm	28.5 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	42	44	42	42	44	44
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOP	DIP	DIP	SOP	SOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.826 mm	3.2 mm	4.826 mm	4.826 mm	3.2 mm	3.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	YES	NO	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	15.24 mm	12.6 mm	15.24 mm	15.24 mm	12.6 mm	12.6 mm

HY23V08200D-120

HY23V08200D-120概述

HY23V08200D-120规格参数

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HY23V08200D-120相似产品对比

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