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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY23V08200D-70
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HY23V08200D-70

产品描述MASK ROM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
产品类别存储    存储   
文件大小82KB，共6页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY23V08200D-70概述

MASK ROM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42

HY23V08200D-70规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数42
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
备用内存宽度8
JESD-30 代码R-PDIP-T42
长度52.451 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量42
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.826 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm

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HY23V08200
Description
512K X 16/1M X 8 BIT
CMOS MASK ROM
The HY23V08200 high performance read only memory is organized either as 1,048,576 x 8 bit (byte mode) or
as 524,288 x 16 bit(word mode) followed by BHE mode select. The low power feature allows the battery
operation.
The large size of 8M bit memory density is ideal for character generator, data or program
memory in micro-processor application. The HY23V08200 is packaged 42pin DIP or 44 pin SOP.
Key features
• Switchable Organization
Byte Mode : 1,048,576 X 8 bit
Word Mode : 524,288 X 16 bit
• Single 3.3V power supply operation
• Access Time : 100/120ns (Max)
• Standby Current : 50 (Max)
• Operating Current : 35 (Max)
• TTL compatible inputs and outputs
• 3-State outputs for wired-OR expansion
• Word or Byte switchable by BHE pin
• Programmable CE or OE pin
• Fully static operation
• Package
HY23V08200D
: 42pin Plastic DIP(600 mil)
HY23V08200S
: 44pin Plastic SOP(500mil)
¡
 
Pin Description
Pin
A0~A18
Q0~Q14
Q15/A-1
BHE
CEB*
OEB*
VCC
VSS
NC
Function
Address inputs
Data Outputs
Output Q15(Word Mode)/
LSB Address(Byte Mode)
Byte High Enable input
(Word/Byte selection)
Chip Enable input
Output Enable input
Power supply
Ground
No Connection
Pin Configuration
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CEB
VSS
OEB
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
NC
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BHE
VSS
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CEB
VSS
OEB
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
* User selectable polarity
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
44SOP
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BHE
VSS
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
42DIP
HY23V08200D
HY23V08200S
Rev0 Page 1 of 6

HY23V08200D-70相似产品对比

HY23V08200D-70 HY23V08200S-100 HY23V08200D-100 HY23V08200D-120 HY23V08200S-70 HY23V08200S-120
描述 MASK ROM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44 MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 MASK ROM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44 MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 DIP SOIC DIP DIP SOIC SOIC
包装说明 DIP, SOP, DIP, DIP, SOP, SOP,
针数 42 44 42 42 44 44
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns 100 ns 100 ns 120 ns 70 ns 120 ns
备用内存宽度 8 8 8 8 8 8
JESD-30 代码 R-PDIP-T42 R-PDSO-G44 R-PDIP-T42 R-PDIP-T42 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
长度 52.451 mm 28.5 mm 52.451 mm 52.451 mm 28.5 mm 28.5 mm
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 42 44 42 42 44 44
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP DIP DIP SOP SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.826 mm 3.2 mm 4.826 mm 4.826 mm 3.2 mm 3.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO YES NO NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 15.24 mm 12.6 mm 15.24 mm 15.24 mm 12.6 mm 12.6 mm

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