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HM6288JP-35

产品描述16KX4 CACHE SRAM, 35ns, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
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文件大小67KB,共11页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HM6288JP-35概述

16KX4 CACHE SRAM, 35ns, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

HM6288JP-35规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ,
针数24
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J24
长度15.63 mm
内存密度65536 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量24
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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HM6288 Series
16384-word
×
4-bit High Speed CMOS Static RAM
Description
The Hitachi HM6288 is a high speed 64k static RAM organized as 16-kword
×
4-bit. It realizes high speed
access time (25/35 ns) and low power consumption, using CMOS process technology. It is most
advantageous for the field where high speed and high density memory is required, such as cache memory for
mainframes or 32-bit MPUs. The HM6288, packaged in a 300-mil plastic DIP and SOJ, is available for high
density mounting. A low power version retains data with battery backup.
Features
Single 5 V supply arid high density plastic package
High speed: fast access time 25/35 ns (max)
Low power dissipation:
Active mode 300 mW (typ)
Standby mode 100
µW
(typ)
Completely static memory
No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times.
Directly TTL compatible all inputs and outputs

HM6288JP-35相似产品对比

HM6288JP-35 HM6288JP25 HM6288LJP-35 HM6288LJP-25 HM6288LP-25 HM6288LP-35
描述 16KX4 CACHE SRAM, 35ns, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 16KX4 CACHE SRAM, 25ns, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 16KX4 CACHE SRAM, 35ns, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 16KX4 CACHE SRAM, 25ns, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 16KX4 CACHE SRAM, 25ns, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22 16KX4 CACHE SRAM, 35ns, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22
零件包装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ DIP DIP
包装说明 SOJ, SOJ, SOJ, SOJ, DIP, DIP,
针数 24 24 24 24 22 22
Reach Compliance Code compli unknow unknown unknown unknown compliant
最长访问时间 35 ns 25 ns 35 ns 25 ns 25 ns 35 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDIP-T22 R-PDIP-T22
长度 15.63 mm 15.63 mm 15.63 mm 15.63 mm 27.08 mm 27.08 mm
内存密度 65536 bi 65536 bi 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 22 22
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ SOJ DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm 3.76 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
厂商名称 - - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)

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