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IDT70V3579S6BC8

产品描述Dual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
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文件大小185KB,共16页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V3579S6BC8概述

Dual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, CMOS, PBGA256, BGA-256

IDT70V3579S6BC8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA256,16X16,40
针数256
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间6 ns
其他特性PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE
最大时钟频率 (fCLK)83 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e0
长度17 mm
内存密度1179648 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量256
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度17 mm

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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
Features:
x
x
IDT70V3579S
x
x
x
x
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)
– Industrial: 5/6ns (max)
Pipelined output mode
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)
– Fast 4.2ns clock to data out
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and
x
x
x
x
x
address inputs @ 133MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP) and
208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball Grid
Array
Functional Block Diagram
BE
3L
BE
3R
BE
2L
BE
1L
BE
0L
BE
2R
BE
1R
BE
0R
R/W
L
B
W
0
L
B
W
1
L
B B
WW
2 3
L L
B
W
3
R
BB
WW
2 1
RR
B
W
0
R
R/W
R
CE
0L
CE
1L
CE
0R
CE
1R
OE
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
OE
R
32K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O
0L
- I/O
35L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
35R
CLK
L
A
14L
A
0L
CNTRST
L
ADS
L
CNTEN
L
CLK
R
,
Counter/
Address
Reg.
A
14R
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
CNTRST
R
ADS
R
CNTEN
R
4830 tbl 01
JULY 2001
1
©2001 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 4830/13
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