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2N1015E

产品描述SIGNAL OR COMPUTER DIODE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小782KB,共2页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2N1015E概述

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

2N1015E规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MBPM-D2
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)7.5 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码O-MBPM-D2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)0.25 MHz
Base Number Matches1

2N1015E相似产品对比

2N1015E 2N1015B 2N1015C AP6P250N 2N1015A
描述 SIGNAL OR COMPUTER DIODE SIGNAL OR COMPUTER DIODE SIGNAL OR COMPUTER DIODE Simple Drive Requirement SIGNAL OR COMPUTER DIODE
包装说明 POST/STUD MOUNT, O-MBPM-D2 POST/STUD MOUNT, O-MBPM-D2 , - POST/STUD MOUNT, O-MBPM-D2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow - unknow
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR - - COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 7.5 A 7.5 A - - 7.5 A
集电极-发射极最大电压 250 V 100 V - - 60 V
配置 SINGLE SINGLE - - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10 - - 10
JESD-30 代码 O-MBPM-D2 O-MBPM-D2 - - O-MBPM-D2
元件数量 1 1 - - 1
端子数量 2 2 - - 2
最高工作温度 150 °C 150 °C - - 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C - - -65 °C
封装主体材料 METAL METAL - - METAL
封装形状 ROUND ROUND - - ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT - - POST/STUD MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN - - NPN
表面贴装 NO NO - - NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG - - SOLDER LUG
端子位置 BOTTOM BOTTOM - - BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON - - SILICON
标称过渡频率 (fT) 0.25 MHz 0.25 MHz - - 0.25 MHz
Base Number Matches 1 1 1 - 1
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