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MA4ST555A

产品描述L-KU BAND, 1.8pF, 22V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小101KB,共3页
制造商TE Connectivity(泰科)
官网地址http://www.te.com
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MA4ST555A概述

L-KU BAND, 1.8pF, 22V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE

MA4ST555A规格参数

参数名称属性值
厂商名称TE Connectivity(泰科)
包装说明O-CEMW-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压22 V
配置SINGLE
二极管电容容差5%
最小二极管电容比2.382
标称二极管电容1.8 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带L BAND TO KU BAND
JESD-30 代码O-CEMW-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
最小质量因数550
最大反向电流0.05 µA
反向测试电压20 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
变容二极管分类HYPERABRUPT
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