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NEM081568-28

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共3页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
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NEM081568-28概述

RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

NEM081568-28规格参数

参数名称属性值
厂商名称California Eastern Labs
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)12 A
基于收集器的最大容量36 pF
集电极-发射极最大电压32 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
元件数量2
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

NEM081568-28相似产品对比

NEM081568-28 NEM085068-28
描述 RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
厂商名称 California Eastern Labs California Eastern Labs
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 12 A 15 A
基于收集器的最大容量 36 pF 60 pF
集电极-发射极最大电压 32 V 32 V
配置 COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 20 20
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F4 R-CDFM-F4
元件数量 2 2
端子数量 4 4
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 100 W 160 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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