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UMW5N65F

产品描述漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小2MB,共9页
制造商友台半导体(UMW)
官网地址http://www.umw-ic.com/

UMW 是中国大陆领先的 LDO、MOSFET、DC/DC、RS-232、RS-485、ESD/TVS、光耦合器、逻辑电路、温度传感器供应商。UTD 的解决方案可实现低风险开发、降低总体系统成本并加快各种全球应用的上市时间。

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UMW5N65F概述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道

UMW5N65F规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)
类型N沟道
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