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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> UMW5N65F

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UMW5N65F: 产品描述漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小2MB，共9页; 制造商友台半导体(UMW); 官网地址http://www.umw-ic.com/; UMW 是中国大陆领先的 LDO、MOSFET、DC/DC、RS-232、RS-485、ESD/TVS、光耦合器、逻辑电路、温度传感器供应商。UTD 的解决方案可实现低风险开发、降低总体系统成本并加快各种全球应用的上市时间。

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UMW5N65F概述

漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

UMW5N65F规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	5A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	2Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	50W(Tc)
类型	N沟道

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