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JANTXV1N5309-1

产品描述Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB,共2页
制造商Compensated Devices Inc
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JANTXV1N5309-1在线购买

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JANTXV1N5309-1概述

Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

JANTXV1N5309-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
包装说明HERMETIC SEALED PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型CURRENT REGULATOR DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-XALF-W2
膝阻抗最大值29000 Ω
最大限制电压2.25 V
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/463G
标称调节电流 (Ireg)3 mA
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术FIELD EFFECT
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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• 1N5283-1 THRU 1N5314-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV AND JANS
PER MIL-PRF-19500/463
• CURRENT REGULATOR DIODES
• HIGH SOURCE IMPEDANCE
• METALLURGICALLY BONDED
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
1N5283 thru 1N5314
and
1N5283-1 thru 1N5314-1
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ TL= +50°C, L = 3/8”
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
Peak Operating Voltage: 100 Volts
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified
TYPE
NUMBER
NOM
1N5283
1N5284
1N5285
1N5286
1N5287
1N5288
1N5289
1N5290
1N5291
1N5292
1N5293
1N5294
1N5295
1N5296
1N5297
1N5298
1N5299
1N5300
1N5301
1N5302
1N5303
1N5304
1N5305
1N5306
1N5307
1N5308
1N5309
1N5310
1N5311
1N5312
1N5313
1N5314
0.22
0.24
0.27
0.30
0.33
0.39
0.43
0.47
0.56
0.62
0.68
0.75
0.82
0.91
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.80
2.00
2.20
2.40
2.70
3.00
3.30
3.60
3.90
4.30
4.70
REGULATOR CURRENT
l p (mA) @ VS = 25V
MIN
0.198
0.216
0.243
0.270
0.297
0.351
0.387
0.423
0.504
0.558
0.612
0.675
0.738
0.819
0.900
0.990
1.08
1.17
1.26
1.35
1.44
1.62
1.80
1.98
2.16
2.43
2.70
2.97
3.24
3.51
3.87
4.23
MAX
0.242
0.264
0.297
0.330
0.363
0.429
0.473
0.517
0.616
0.682
0.748
0.825
0.902
1.001
1.100
1.210
1.32
1.43
1.54
1.65
1.76
1.98
2.20
2.42
2.64
2.97
3.30
3.63
3.96
4.29
4.73
5.17
MINIMUM
DYNAMIC
IMPEDANCE
@VS = 25V
ZS (MΩ)
(Note 1)
25.0
19.0
14.0
9.0
6.6
4.10
3.30
2.70
1.90
1.55
1.35
1.15
1.00
0.880
0.800
0.700
0.640
0.580
0.540
0.510
0.475
0.420
0.395
0.370
0.345
0.320
0.300
0.280
0.265
0.255
0.245
0.235
MINIMUM
KNEE
IMPEDANCE
@VK = 6.0 V
ZK (MΩ)
(Note 2)
2.75
2.35
1.95
1.60
1.35
1.00
0.870
0.750
0.560
0.470
0.400
0.335
0.290
0.240
0.205
0.180
0.155
0.135
0.115
0.105
0.092
0.074
0.061
0.052
0.044
0.035
0.029
0.024
0.020
0.017
0.014
0.012
MAXIMUM
LIMITING
VOLTAGE
@ lL = 0.8 lp (min)
VL (VOLTS)
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.05
1.05
1.05
1.10
1.13
1.15
1.20
1.25
1.29
1.35
1.40
1.45
1.50
1.55
1.60
1.65
1.75
1.85
1.95
2.00
2.15
2.25
2.35
2.50
2.60
2.75
2.90
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed glass
case. DO – 7 outline.
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel.
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
250 ˚C/W maximum at L = .375 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 25
˚C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (Cathode) end negative.
WEIGHT:
0.2 grams.
MOUNTING POSITION:
Any.
NOTE 1
NOTE 2
ZS is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of VS on VS
ZK is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of VK on VK
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
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