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2N3866LEADFREE

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小80KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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2N3866LEADFREE概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

2N3866LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-39
包装说明HERMETIC SEALED PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.4 A
基于收集器的最大容量3 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)500 MHz
Base Number Matches1
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