K6F1616U6M-EF700,K6F1616U6M-EF700 pdf中文资料,K6F1616U6M-EF700引脚图,K6F1616U6M-EF700电路-Datasheet-电子工程世界

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K6F1616U6M-EF700: 产品描述Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 9 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小158KB，共9页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K6F1616U6M-EF700概述

Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 9 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48

K6F1616U6M-EF700规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA,
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
长度	12 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	9 mm

K6F1616U6M-EF700相似产品对比

	K6F1616U6M-EF700	K6F1616U6M-EF55	K6F1616U6M-EF550	K6F1616U6M-EF70
描述	Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 9 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 9 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 9 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48	Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 9 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,
针数	48	48	48	48
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns	55 ns	55 ns	70 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
长度	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1
端子数量	48	48	48	48
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	9 mm	9 mm	9 mm	9 mm

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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