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24AA04T-I/SM

产品描述512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
产品类别存储    存储   
文件大小119KB,共13页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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24AA04T-I/SM概述

512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8

24AA04T-I/SM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
针数8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010XXMR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
长度5.28 mm
内存密度4096 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.03 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度5.207 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

24AA04T-I/SM相似产品对比

24AA04T-I/SM 24AA04-I/SL 24AA08-I/SM
描述 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-14 1K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC
包装说明 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-14 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
针数 8 14 8
Reach Compliance Code _compli compli unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 200 200 200
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010XXMR 1010XXMR 1010XMMR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G14 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e3 e0
长度 5.28 mm 8.65 mm 5.28 mm
内存密度 4096 bi 4096 bi 8192 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 8 14 8
字数 512 words 512 words 1024 words
字数代码 512 512 1000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512X8 512X8 1KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP SOP
封装等效代码 SOP8,.3 SOP14,.25 SOP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED
电源 2/5 V 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.03 mm 1.75 mm 2.03 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C
最大待机电流 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A
最大压摆率 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED
宽度 5.207 mm 3.9 mm 5.207 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE HARDWARE
Base Number Matches 1 1 -
是否无铅 - 不含铅 含铅

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