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HMT351U7BFR8C-PBT0

产品描述DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240
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文件大小695KB,共59页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HMT351U7BFR8C-PBT0概述

DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

HMT351U7BFR8C-PBT0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
包装说明DIMM,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N240
长度133.35 mm
内存密度38654705664 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织512MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
宽度30 mm

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240pin DDR3 SDRAM Unbeffered DIMM
DDR3 SDRAM
Unbuffered DIMMs
Based on 2Gb B-Die
HMT312U6BFR6C
HMT325U6BFR8C
HMT325U7BFR8C
HMT351U6BFR8C
HMT351U7BFR8C
*
Hynix Semiconductor reserves the right to change products or specifications without notice.
Rev. 1.0 / Oct. 2010
1

HMT351U7BFR8C-PBT0相似产品对比

HMT351U7BFR8C-PBT0 HMT312U6BFR6C-PB HMT312U6BFR6C-H9 HMT312U6BFR6C-G7
描述 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.225ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Code compliant unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
长度 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm
内存密度 38654705664 bit 8589934592 bit 8589934592 bit 8589934592 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 64 64 64
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240
字数 536870912 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 512000000 128000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 512MX72 128MX64 128MX64 128MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
自我刷新 YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 30 mm 30 mm 30 mm 30 mm
零件包装代码 - DIMM DIMM DIMM
针数 - 240 240 240
最长访问时间 - 0.225 ns 0.255 ns 0.3 ns
最大时钟频率 (fCLK) - 800 MHz 667 MHz 533 MHz
I/O 类型 - COMMON COMMON COMMON
JESD-609代码 - e1 e1 e1
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 - DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260 260
电源 - 1.5 V 1.5 V 1.5 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 - 8192 8192 8192
最大待机电流 - 0.048 A 0.048 A 0.048 A
最大压摆率 - 0.72 mA 0.68 mA 0.66 mA
端子面层 - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
处于峰值回流温度下的最长时间 - 20 20 20

 
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