Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HMT312U6BFR6C-PB

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HMT312U6BFR6C-PB: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.225ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240; 产品类别存储存储; 文件大小695KB，共59页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HMT312U6BFR6C-PB概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.225ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

HMT312U6BFR6C-PB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40
针数	240
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.225 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240
JESD-609代码	e1
长度	133.35 mm
内存密度	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	128MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.048 A
最大压摆率	0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	30 mm

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240pin DDR3 SDRAM Unbeffered DIMM

DDR3 SDRAM

Unbuffered DIMMs

Based on 2Gb B-Die

HMT312U6BFR6C

HMT325U6BFR8C

HMT325U7BFR8C

HMT351U6BFR8C

HMT351U7BFR8C

Hynix Semiconductor reserves the right to change products or specifications without notice.

Rev. 1.0 / Oct. 2010

HMT312U6BFR6C-PB相似产品对比

	HMT312U6BFR6C-PB	HMT312U6BFR6C-H9	HMT351U7BFR8C-PBT0	HMT312U6BFR6C-G7
描述	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.225ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM,	DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Code	unknown	unknown	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240
长度	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm
内存密度	8589934592 bit	8589934592 bit	38654705664 bit	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	72	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	240	240	240	240
字数	134217728 words	134217728 words	536870912 words	134217728 words
字数代码	128000000	128000000	512000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	128MX64	128MX64	512MX72	128MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm
零件包装代码	DIMM	DIMM	-	DIMM
针数	240	240	-	240
最长访问时间	0.225 ns	0.255 ns	-	0.3 ns
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz	667 MHz	-	533 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON
JESD-609代码	e1	e1	-	e1
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	-	DIMM240,40
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	-	260
电源	1.5 V	1.5 V	-	1.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	-	8192
最大待机电流	0.048 A	0.048 A	-	0.048 A
最大压摆率	0.72 mA	0.68 mA	-	0.66 mA
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	-	20

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