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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HM1-6642B-9
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HM1-6642B-9

产品描述512X8 OTPROM, 140ns, CDIP24
产品类别存储    存储   
文件大小38KB，共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HM1-6642B-9概述

512X8 OTPROM, 140ns, CDIP24

HM1-6642B-9规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP24,.6
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间140 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数512 words
字数代码512
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512X8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.046 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

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HM-6642
March 1997
512 x 8 CMOS PROM
Description
The HM-6642 is a 512 x 8 CMOS NiCr fusible link
Programmable Read Only Memory in the popular 24 pin,
byte wide pinout. Synchronous circuit design techniques
combine with CMOS processing to give this device high
speed performance with very low power dissipation.
On-chip address latches are provided, allowing easy
interfacing with recent generation microprocessors that use
multiplexed address/data bus structures, such as the 8085.
The output enable controls, both active low and active high,
further simplify microprocessor system interfacing by
allowing output data bus control independent of the chip
enable control. The data output latches allow the use of the
HM-6642 in high speed pipelined architecture systems, and
also in synchronous logic replacement functions.
Applications for the HM-6642 CMOS PROM include low
power handheld microprocessor based instrumentation and
communications systems, remote data acquisition and
processing systems, processor control store, and synchro-
nous logic replacement.
All bits are manufactured storing a logical “0” and can be
selectively programmed for a logical “1” at any bit location.
Features
• Low Power Standby and Operating Power
- ICCSB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .100µA
- ICCOP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA at 1MHz
• Fast Access Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120/200ns
• Industry Standard Pinout
• Single 5.0V Supply
• CMOS/TTL Compatible Inputs
• Field Programmable
• Synchronous Operation
• On-Chip Address Latches
• Separate Output Enable
Ordering Information
PACKAGE
SBDIP
SMD#
SLIM SBDIP
SMD#
CLCC
SMD#
TEMPERATURE RANGE
-40
o
C to +85
o
C
-55
o
C to +125
o
C
-40
o
C to +85
o
C
-55
o
C to +125
o
C
-40
o
C to +85
o
C
-55
o
C to +125
o
C
120ns
HM1-6642B-9
5962-8869002JA
HM6-6642B-9
5962-8869002LA
-
5962-88690023A
200ns
HM1-6642-9
5962-8869001JA
HM6-6642-9
5962-8869001LA
HM4-6642-9
5962-88690013A
PKG. NO.
D24.6
D24.6
D24.3
D24.3
J28.A
J28.A
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
©
Intersil Corporation 1999
File Number
3012.1
6-1

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HM1-6642B-9 5962-88690023A HM6-6642B-9 HM4-6642-9 HM6-6642-9 5962-8869002LA
描述 512X8 OTPROM, 140ns, CDIP24 512X8 OTPROM, 140ns, CQCC28 512X8 OTPROM, 140ns, CDIP24 512X8 OTPROM, 220ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 512X8 OTPROM, 220ns, CDIP24 512X8 OTPROM, 140ns, CDIP24, SIDE BRAZED, DIP-24
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 DIP, DIP24,.6 , DIP, DIP24,.3 QCCN, LCC28,.45SQ DIP, DIP24,.3 DIP, DIP24,.3
Reach Compliance Code not_compliant unknown not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 140 ns 140 ns 140 ns 220 ns 220 ns 140 ns
JESD-30 代码 R-CDIP-T24 S-CQCC-N28 R-CDIP-T24 S-CQCC-N28 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 28 24 28 24 24
字数 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words
字数代码 512 512 512 512 512 512
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 125 °C 85 °C 85 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C -40 °C -40 °C -40 °C -55 °C
组织 512X8 512X8 512X8 512X8 512X8 512X8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL QUAD DUAL QUAD DUAL DUAL
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP - DIP - DIP DIP
针数 24 - 24 - 24 24
封装代码 DIP - DIP QCCN DIP DIP
封装等效代码 DIP24,.6 - DIP24,.3 LCC28,.45SQ DIP24,.3 DIP24,.3
电源 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V
最大待机电流 0.0001 A - 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.046 mA - 0.046 mA 0.029 mA 0.029 mA 0.02 mA
端子节距 2.54 mm - 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm

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