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HM6-6642B-9: 产品描述512X8 OTPROM, 140ns, CDIP24; 产品类别存储存储; 文件大小38KB，共8页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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HM6-6642B-9概述

512X8 OTPROM, 140ns, CDIP24

HM6-6642B-9规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP24,.3
针数	24
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	140 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T24
JESD-609代码	e0
内存密度	4096 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	24
字数	512 words
字数代码	512
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512X8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP24,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.046 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

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HM-6642

March 1997

512 x 8 CMOS PROM

Description

The HM-6642 is a 512 x 8 CMOS NiCr fusible link

Programmable Read Only Memory in the popular 24 pin,

byte wide pinout. Synchronous circuit design techniques

combine with CMOS processing to give this device high

speed performance with very low power dissipation.

On-chip address latches are provided, allowing easy

interfacing with recent generation microprocessors that use

multiplexed address/data bus structures, such as the 8085.

The output enable controls, both active low and active high,

further simplify microprocessor system interfacing by

allowing output data bus control independent of the chip

enable control. The data output latches allow the use of the

HM-6642 in high speed pipelined architecture systems, and

also in synchronous logic replacement functions.

Applications for the HM-6642 CMOS PROM include low

power handheld microprocessor based instrumentation and

communications systems, remote data acquisition and

processing systems, processor control store, and synchro-

nous logic replacement.

All bits are manufactured storing a logical “0” and can be

selectively programmed for a logical “1” at any bit location.

Features

• Low Power Standby and Operating Power

- ICCSB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .100µA

- ICCOP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA at 1MHz

• Fast Access Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120/200ns

• Industry Standard Pinout

• Single 5.0V Supply

• CMOS/TTL Compatible Inputs

• Field Programmable

• Synchronous Operation

• On-Chip Address Latches

• Separate Output Enable

Ordering Information

PACKAGE

SBDIP

SMD#

SLIM SBDIP

SMD#

CLCC

SMD#

TEMPERATURE RANGE

-40

C to +85

-55

C to +125

-40

C to +85

-55

C to +125

-40

C to +85

-55

C to +125

120ns

HM1-6642B-9

5962-8869002JA

HM6-6642B-9

5962-8869002LA

5962-88690023A

200ns

HM1-6642-9

5962-8869001JA

HM6-6642-9

5962-8869001LA

HM4-6642-9

5962-88690013A

PKG. NO.

D24.6

D24.3

J28.A

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

http://www.intersil.com or 407-727-9207

Intersil Corporation 1999

File Number

3012.1

6-1

HM6-6642B-9相似产品对比

	HM6-6642B-9	5962-88690023A	HM4-6642-9	HM6-6642-9	HM1-6642B-9	5962-8869002LA
描述	512X8 OTPROM, 140ns, CDIP24	512X8 OTPROM, 140ns, CQCC28	512X8 OTPROM, 220ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	512X8 OTPROM, 220ns, CDIP24	512X8 OTPROM, 140ns, CDIP24	512X8 OTPROM, 140ns, CDIP24, SIDE BRAZED, DIP-24
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
包装说明	DIP, DIP24,.3	,	QCCN, LCC28,.45SQ	DIP, DIP24,.3	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.3
Reach Compliance Code	not_compliant	unknown	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	140 ns	140 ns	220 ns	220 ns	140 ns	140 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T24	S-CQCC-N28	S-CQCC-N28	R-CDIP-T24	R-CDIP-T24	R-CDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	28	28	24	24	24
字数	512 words	512 words	512 words	512 words	512 words	512 words
字数代码	512	512	512	512	512	512
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	125 °C	85 °C	85 °C	85 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-55 °C
组织	512X8	512X8	512X8	512X8	512X8	512X8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	MILITARY	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	-	-	DIP	DIP	DIP
针数	24	-	-	24	24	24
封装代码	DIP	-	QCCN	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP24,.3	-	LCC28,.45SQ	DIP24,.3	DIP24,.6	DIP24,.3
电源	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V
最大待机电流	0.0001 A	-	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.046 mA	-	0.029 mA	0.029 mA	0.046 mA	0.02 mA
端子节距	2.54 mm	-	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm

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