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HM4-6514B-8

产品描述IC,SRAM,1KX4,CMOS,LLCC,18PIN,CERAMIC
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文件大小179KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HM4-6514B-8概述

IC,SRAM,1KX4,CMOS,LLCC,18PIN,CERAMIC

HM4-6514B-8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间220 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XQCC-N18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量18
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC18,.3X.35
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.000025 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.019 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD

HM4-6514B-8相似产品对比

HM4-6514B-8 HM4-6514B-9 HM4-6514-9
描述 IC,SRAM,1KX4,CMOS,LLCC,18PIN,CERAMIC IC,SRAM,1KX4,CMOS,LLCC,18PIN,CERAMIC IC,SRAM,1KX4,CMOS,LLCC,18PIN,CERAMIC
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
最长访问时间 220 ns 220 ns 320 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XQCC-N18 R-XQCC-N18 R-XQCC-N18
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4
端子数量 18 18 18
字数 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -40 °C -40 °C
组织 1KX4 1KX4 1KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 QCCN QCCN QCCN
封装等效代码 LCC18,.3X.35 LCC18,.3X.35 LCC18,.3X.35
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.000025 A 0.000015 A 0.000015 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.019 mA 0.019 mA 0.014 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) -
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