IC,SRAM,1KX4,CMOS,LLCC,18PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 最长访问时间 | 320 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N18 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 端子数量 | 18 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 1KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC18,.3X.35 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.000015 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.014 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| Base Number Matches | 1 |
| HM4-6514-9 | HM4-6514B-9 | HM4-6514B-8 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC,SRAM,1KX4,CMOS,LLCC,18PIN,CERAMIC | IC,SRAM,1KX4,CMOS,LLCC,18PIN,CERAMIC | IC,SRAM,1KX4,CMOS,LLCC,18PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 最长访问时间 | 320 ns | 220 ns | 220 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XQCC-N18 | R-XQCC-N18 | R-XQCC-N18 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 18 | 18 | 18 |
| 字数 | 1024 words | 1024 words | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 | 1000 | 1000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -55 °C |
| 组织 | 1KX4 | 1KX4 | 1KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN | QCCN | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC18,.3X.35 | LCC18,.3X.35 | LCC18,.3X.35 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.000015 A | 0.000015 A | 0.000025 A |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.014 mA | 0.019 mA | 0.019 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
| 厂商名称 | - | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
