Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 120 ns |
其他特性 | ADDRESS LATCH |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 16384 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 24 |
字数 | 2048 words |
字数代码 | 2000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 2KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
HM1-6516B/883 | HM4-6516B/883 | |
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描述 | Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDIP24 | Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CQCC32 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 120 ns | 120 ns |
其他特性 | ADDRESS LATCH | ADDRESS LATCH |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
内存密度 | 16384 bit | 16384 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 24 | 32 |
字数 | 2048 words | 2048 words |
字数代码 | 2000 | 2000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
组织 | 2KX8 | 2KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子位置 | DUAL | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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