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SMBJ100C

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共4页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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SMBJ100C在线购买

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SMBJ100C概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

SMBJ100C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明R-PDSO-J2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, UL RECOGNIZED
最大击穿电压136 V
最小击穿电压111 V
击穿电压标称值123.5 V
最大钳位电压179 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-J2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式J BEND
端子位置DUAL

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
SM
BJ5.0 -
- -
SM
BJ18
8CA
BREAKDOWN VOLTAGE: 5.0 --- 188 V
PEAK PULSE POWER: 600 W
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Underwriters Laboratory Recognition under UL standard
for safety 497B: Isolated Loop Circuit Protection
Low profile package with built-in strain relief for surface
mounted applications
Glass passivated junction
Low incremental surge resistance, excellent clamping
capability
600W peak pulse power capability with a 10/1000µs
waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01%
Very fast response time
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds at terminals
DO-214AA(SMB)
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-214AA molded plastic over passivated
junction
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
method 2026
Polarity: Foruni-directional types the color band denotes
the cathode, which is postitive with respect to the
anode under normal TVS operation
Weight: 0.003 ounces, 0.093 grams
Flammability: Epoxy is rated UL 94V-0
inch(mm)
Devices for Bidirectional Applications
For bi-directional devices, use suffix C or CA (e.g. SMBJ10C, SMBJ10CA). Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
Peak pow er dissipation w ith a 10/1000μs w aveform (NOTE 1,2, FIG.1)
VALUE
Minimum 600
See Table Below
UNIT
W
A
P
PPM
I
PPM
Peak pulse current w ith a 10/1000μs w aveform (NOTE 1)
Peak forw ard surge current, 8.3ms single half sine-w ave
ffff
uni-directional only( (NOTE 2)
Typical thermal resistance, junction to ambient( (NOTE 3)
Typical thermal resistance, junction to lead
Operating junction and storage temperature range
NOTES: (1) Non-repetitive current pules, per Fig. 3 and derated above T
A
=25 per Fig. 2.
(2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0mm) copper pads to each terminal.
(3) Mounted on minimum recommended pad layout.
I
FSM
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
STG
100.0
100.0
20
-55---+150
A
/W
/W
www.galaxycn.com
Document Number 0285006,
BL
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