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30KPA_09

产品描述30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共6页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
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30KPA_09概述

30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

30KPA_09相似产品对比

30KPA_09 30KPA 30KPA156CA-B 30KPA39A-B 30KPA39CA-B
描述 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
是否无铅 - - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - - 符合 符合 符合
包装说明 - - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
针数 - - 2 2 2
Reach Compliance Code - - _compli _compli _compli
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 - - UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最小击穿电压 - - 174.3 V 43.6 V 43.6 V
外壳连接 - - ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大钳位电压 - - 245 V 67.2 V 67.2 V
配置 - - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 - - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 - - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 - - e3 e3 e3
最大非重复峰值反向功率耗散 - - 30000 W 30000 W 30000 W
元件数量 - - 1 1 1
端子数量 - - 2 2 2
最高工作温度 - - 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 - - -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - - ROUND ROUND ROUND
封装形式 - - LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) - - 260 260 260
极性 - - BIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 - - 8 W 8 W 8 W
认证状态 - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 - - 156 V 39 V 39 V
表面贴装 - - NO NO NO
技术 - - AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 - - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 - - WIRE WIRE WIRE
端子位置 - - AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - - 40 40 40
Base Number Matches - - 1 1 1
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