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30KPA

产品描述30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共6页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
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30KPA概述

30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

30KPA相似产品对比

30KPA 30KPA156CA-B 30KPA39A-B 30KPA39CA-B 30KPA_09
描述 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 -
包装说明 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 -
针数 - 2 2 2 -
Reach Compliance Code - _compli _compli _compli -
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 - UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED -
最小击穿电压 - 174.3 V 43.6 V 43.6 V -
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED ISOLATED -
最大钳位电压 - 245 V 67.2 V 67.2 V -
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON -
二极管类型 - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE -
JESD-30 代码 - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 -
JESD-609代码 - e3 e3 e3 -
最大非重复峰值反向功率耗散 - 30000 W 30000 W 30000 W -
元件数量 - 1 1 1 -
端子数量 - 2 2 2 -
最高工作温度 - 175 °C 175 °C 175 °C -
最低工作温度 - -55 °C -55 °C -55 °C -
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 - ROUND ROUND ROUND -
封装形式 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM -
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260 260 -
极性 - BIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL -
最大功率耗散 - 8 W 8 W 8 W -
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最大重复峰值反向电压 - 156 V 39 V 39 V -
表面贴装 - NO NO NO -
技术 - AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE -
端子面层 - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) -
端子形式 - WIRE WIRE WIRE -
端子位置 - AXIAL AXIAL AXIAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 - 40 40 40 -
Base Number Matches - 1 1 1 -
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