MSPUPT8E3,MSPUPT8E3 pdf中文资料,MSPUPT8E3引脚图,MSPUPT8E3电路-Datasheet-电子工程世界

MSPUPT8E3: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERMITE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小165KB，共3页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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MSPUPT8E3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERMITE-2

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DO-216AA
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERMITE-2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	9 V
外壳连接	ANODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-216AA
JESD-30 代码	R-PDSO-G1
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	150 W
元件数量	1
端子数量	1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	2.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	8 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

问：如何选择分立晶体管？: [i=s] 本帖最后由雨中于 2014-9-29 19:41 编辑 [/i]答：谨慎些。不过，过于小心也不好。我曾经看到有些工程师为了给低速逻辑反相器选择最佳分立晶体管而痛苦数日之久，甚至因为无法获得与应用笔记中的发射极跟随器所用的一模一样的晶体管而事实上，对于很多电路，只要一些基本问题得到解决，许多完全不同的晶体管也会同样有效。在很多应用中，选择双极性结晶体管(BJT) 还是MO...; 雨中 ADI参考电路

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