K4S641632E-TP1H,K4S641632E-TP1H pdf中文资料,K4S641632E-TP1H引脚图,K4S641632E-TP1H电路-Datasheet-电子工程世界

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K4S641632E-TP1H: 产品描述Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54; 产品类别存储存储; 文件大小47KB，共9页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4S641632E-TP1H概述

Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54

K4S641632E-TP1H规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e0
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
端子数量	54
字数	4194304 words
字数代码	4000000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP
封装等效代码	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.125 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40

K4S641632E-TP1H相似产品对比

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描述	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
包装说明	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	6 ns	5.4 ns	6 ns	5.4 ns	6 ns	5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3
端子数量	54	54	54	54	54	54
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP
封装等效代码	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.125 mA	0.135 mA	0.125 mA	0.135 mA	0.125 mA	0.135 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	40

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