Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> IR343SG12HPBF

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IR343SG12HPBF: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小120KB，共2页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IR343SG12HPBF概述

Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER

IR343SG12HPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	WAFER
包装说明	UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	100 mA
JESD-30 代码	O-XUUC-N
元件数量	1
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
断态重复峰值电压	1200 V
重复峰值反向电压	1200 V
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40
触发设备类型	SCR

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Bulletin I0108J 03/01

IR343SG12H

PHASE CONTROL THYRISTORS

Junction Size

Wafer Size

RRM

/ V

DRM

Class

Passivation Process

Reference IR Packaged Part

Square 343 mils

1200 V

Glassivated MESA

n.a.

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Typical On-state Voltage

Units

1.2 V

1200 V

5 to 100 mA

5 to 200 mA

400 mA

Test Conditions

= 25°C, I

= 25 A

= 25°C, I

DRM

RRM

= 100 µA

(1)

RRM

/ V

DRM

Direct and Reverse Breakdown Voltage

Required DC Gate Current to Trigger

Max. Required DC Gate Voltage to Trigger

Holding Current Range

Maximum Latching Current

= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load

Anode supply = 6 V, resistive load

(1)

Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Nominal Front Metal Composition, Thickness

Chip Dimensions

Wafer Diameter

Wafer Thickness

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

340 x 340 mils (see drawing)

100 mm, with std. <110> flat

330 µm ± 10 µm

130 µm

0.25 mm diameter minimum

See drawing

Storage in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

www.irf.com

IR343SG12HPBF相似产品对比

	IR343SG12HPBF
描述	Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	WAFER
包装说明	UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	100 mA
JESD-30 代码	O-XUUC-N
元件数量	1
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
断态重复峰值电压	1200 V
重复峰值反向电压	1200 V
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40
触发设备类型	SCR

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