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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF5NJZ34SCX
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IRF5NJZ34SCX

产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB，共7页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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IRF5NJZ34SCX概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PIN

IRF5NJZ34SCX规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
包装说明CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）43 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)22 A
最大漏源导通电阻0.04 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XBCC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)88 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PD - 94600
HEXFET
®
POWER MOSFET
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
Product Summary
Part Number
IRF5NJZ34
BVDSS
IRF5NJZ34
55V, N-CHANNEL
R
DS(on)
0.04Ω
I
D
22A*
55V
Fifth Generation HEXFET
®
power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the lowest possible on-resistance
per silicon unit area. This benefit, combined with the
fast switching speed and ruggedized device design
that HEXFET power MOSFETs are well known for,
provides the designer with an extremely efficient device
for use in a wide variety of applications.
These devices are well-suited for applications such
as switching power supplies, motor controls, invert-
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse
circuits.
SMD-0.5
Features:
n
n
n
n
n
n
n
n
Low R
DS(on)
Avalanche Energy Ratings
Dynamic dv/dt Rating
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Surface Mount
Light Weight
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = 10V, TC = 25°C
ID @ VGS = 10V, TC = 100°C
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
➀
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
➁
Avalanche Current
➀
Repetitive Avalanche Energy
➀
Peak Diode Recovery dv/dt
➂
Operating Junction
Storage Temperature Range
Package Mounting Surface Temperature
Weight
* Current is limited by package
For footnotes refer to the last page
22*
16
88
40
0.32
±20
43
22
4.0
1.8
-55 to 150
o
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
C
300 (for 5 s)
1.0
g
www.irf.com
1
02/07/03

IRF5NJZ34SCX相似产品对比

IRF5NJZ34SCX IRF5NJZ34PBF IRF5NJZ34E IRF5NJZ34ESCX
描述 Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PIN
是否无铅 含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
包装说明 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级（Eas） 43 mJ 43 mJ 43 mJ 43 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 22 A 22 A 22 A 22 A
最大漏源导通电阻 0.04 Ω 0.04 Ω 0.042 Ω 0.042 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XBCC-N3 R-CBCC-N3 R-XBCC-N3 R-XBCC-N3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 88 A 88 A 88 A 88 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
JESD-609代码 e0 - e0 e0
端子面层 TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD

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